ПРИМЕНЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ В ДАТЧИКАХ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ

Хошев Александр Вячеславович, инженер-технолог цеха микроэлектроники, Научно-исследовательский институт физических измерений, Hoshev85@mail.ru
Попченков Дмитрий Валентинович, начальник подразделения, Научно-исследовательский институт физических измерений, Popchenkov79@mail.ru
Соловьева Елена Михайловна, инженер-технолог цеха микроэлектроники, Научно-исследовательский институт физических измерений, Ems_79@mail.ru

621.793.7

Представлены результаты исследования применения тугоплавких окислов для формирования диэлектрических структур на чувствительных элементах тонкопленочных тензорезистивных датчиков давления. Показано, что электронно-лучевой метод распыления позволяет формировать диэлектрические слои на основе тугоплавких окислов с заданными параметрами.

Ключевые слова

чувствительный элемент, гетероструктура, тонкопленочный диэлектрик, изоляция, температурный коэффициент линейного расширения.

 Скачать статью в формате PDF

1. Волохов, И. В. Технологические методики повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезистивных датчиков давления : автореф. дис. … канд. техн. наук / Волохов И. В. – Пенза, 2008. – 21 с.
2. Перевалов, Т. В. Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью / Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко // Успехи физических наук. – 2010. – Т. 180, № 6. – С. 587–602.
3. Абдукадырова, И. Х. Радиационное модифицирование электрических свойств оксидных диэлектриков / И. Х. Абдукадырова // Перспективные материалы. – 2009. – № 6. –
С. 61–65.